|
IBSD-1010雙離子束濺射鍍膜沉積系統(tǒng)
收藏
IBSD-1010雙離子束濺射鍍膜沉積系統(tǒng) 產(chǎn)品摘要：該系統(tǒng)為通用雙離子束薄膜沉積系統(tǒng)，可用于濺射沉積各種金屬、合金、Ⅲ-Ⅴ族化合物及半導(dǎo)體材料的單層薄膜、多層薄膜，也可將單質(zhì)材料通過反應(yīng)合成氧化物、氮化物等薄膜，薄膜材料致密性好，損傷低，被廣泛應(yīng)用于光學(xué)薄膜，壓電傳感器，紅外等前沿領(lǐng)域。 核心參數(shù) 主源—聚焦束濺射離子源：離子能量：0～1000 eV；離子束流：0～90 mA； 輔源：離子能量：0～1000 eV；離子束流：0～100 mA。 有效束經(jīng)：Фb≥100mm 襯底臺(tái)；可裝4英寸及以下樣品 靶臺(tái)；裝靶數(shù)：4靶（靶尺寸Ф100mm×δ3~5mm）自動(dòng)換靶 高真空系統(tǒng)；前級泵＋分子泵 工藝氣路：1-3路 鍍膜均勻性；≤±5% 全自動(dòng)＋半自動(dòng)控制；支持單工藝和多工藝組、操作記錄、運(yùn)行記錄、故障診斷、報(bào)警等功能。 可選配：膜厚儀
相關(guān)產(chǎn)品
|
